研發(fā)及銷售充電管理芯片
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更新日期2020-07-06 16:30
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長(zhǎng)期有效 |
高壓低功耗同步升壓控制芯片HB6803
功能特性簡(jiǎn)述
l 高效率>90%
l 同步N型MOSFET整流
l VCC寬輸入范圍：2.5V至24V
l 1.5%的輸出電壓精度
l 高位電流采樣
l 空載時(shí)低靜態(tài)電流：60uA
l 內(nèi)置軟啟動(dòng)
l 開(kāi)關(guān)頻率600/900KHz
l 關(guān)斷電流<8uA
l PWM峰值電流模控制
l 輕載自動(dòng)切換Burst模式
l 邏輯控制使能端
l Cycle-By-Cycle峰值電流限制
l 工作環(huán)境溫度范圍：-40℃～125℃
l DFN12L\TSSOP14L封裝
應(yīng)用
l 移動(dòng)電話
l 工業(yè)供電
l 通訊硬件
概述
HB6803是一款恒定頻率PWM電流模控制，驅(qū)動(dòng)N型功率管的高效同步升壓芯片。同步整流提高效率，減小功耗，并且減輕散熱要求，所以HB6803可以應(yīng)用在大功率環(huán)境。
2.5V到24V的輸入電壓支持供電系統(tǒng)和電池的較寬范圍應(yīng)用。根據(jù)負(fù)載情況的變化自動(dòng)切換工作模式，在輕載Burst模式下靜態(tài)電流低至60uA。
HB6803內(nèi)置峰值電流限制和輸出過(guò)壓保護(hù)。在ENB邏輯控制為高時(shí)，芯片電流降至8uA以下。
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